上周的英特尔投资者日上，英特尔方面透漏了公司 10nm 芯片再三推迟的原因，并声称将于 2021 年公布 7nm GPU（参见此前报导）。然而，就在近日的 SFF（Samsung Foundry Forum）美国分会上，三星回应，该公司也将在 2021 年发售一款突破性的产品——这款产品基于 3nm GAA（gate all around）工艺；性能提升 35%，功耗减少了 50%，芯片面积增大 45%。

三星发布的这一消息引发了震撼，却是英特尔 10nm 还没有量产，三星的 3nm 就要来了。3nm 要靠 GAA 技术来构建录：图片来自 CNET几十年来，晶体管仍然是处理器的基本组成部分，而增大晶体管的体积则是取决于芯片变革的关键因素。

但近年来，芯片行业仍然难以克服极端小型化带给的挑战。三星的新产品构建了 GAA 技术，需要对芯片核心晶体管展开新的设计和改建，使其更加小更慢。只不过，在早期的设计中，芯片电路中的电流仍然由地下通道顶部的“闸门”来掌控，但 GAA 有所不同——这种技术利用特定的材料将整个电流地下通道包覆一起，类似于一种 3D 结构，比之前的“闸门”简单得多。

一些人设想 GAA 晶体管地下通道是一种叫作纳米线的小圆柱体，但是三星的设计用于了一种叫作纳米片的平缓地下通道。国际商业战略咨询公司的 CEO Handel Jones 说道：三星的研究项目初见成效，它在 GAA 方面领先台积电约 12 个月；而英特尔有可能领先三星两到三年。三星的突破可能会远超过摩尔定律的预期，更进一步让我们的手机、手表、汽车和家居设备显得更加智能。

三星代工业务营销副总裁 Ryan Lee 也在本次大会上回应，GAA 将标志着三星代工业务转入一个全新的时代；而三星的新产品也未来将会沦为其与英特尔和台积电竞争过程中的关键一步。三星 3nm 的工艺路线图在本次的 SFF 上，三星回应，第一批 3nm 芯片针对智能手机以及其他移动设备，将于 2020 年展开测试，2021 年量产。

而对于性能拒绝更高的芯片，如图形处理器和数据中心的 AI 芯片，将于 2022 年来临。英特尔和台积电目前没对此事置评。迄今为止，三星生产的芯片早已可以用于 7nm 工艺；但它也没负于于此，仍在持续大大地对 7nm 展开改良，将电路增大到 6nm，5nm，甚至 4nm；不过，三星现阶段的最终目标是利用 GAA 技术将电路增大到 3nm。Ryan Lee 也对三星芯片的未来不作了预测：GAA 的发展可能会让 2nm，甚至是 1nm 的工艺沦为有可能，虽然我们还不确认那不会是怎样的结构，但我们深信不会有这样的技术经常出现。

被迫否认，Ryan Lee的预测显然十分大胆，不过从实际情况来看，芯片制造商几十年来仍然在担忧芯片小型化过程中不会遇上的障碍。就像人们曾多次将芯片制程从 0.13 微米改名为 130 纳米一样，人们现在突破了无限大；也许在将来，芯片厂商们会向更加微小的单位进占，比如皮米（头顶米）。3nm 成本有可能让人坦言三星多年来仍然在生产芯片，但在 2017 年，为了除三星电子以外的客户，该公司将旗下的代工部门拆卸分成分开的业务。因此，像高通这样的公司开始和三星合作，并依赖三星生产了骁龙 730 和骁龙 730 G 芯片。

在处理器生产的巅峰时期，新一代技术将带给更加小、更慢的芯片，而会减少功耗。如今，这三种益处很难兼得。

不过，客户在自由选择三星的 3nm 工艺时依然不会犹豫不决，因为它很喜。就像三星的 5nm 芯片比目前的 7nm 略为喜一些一样，3nm 在定价时也不会比 5nm 更加喜。不过，涉及负责人对 3nm 的前景深感悲观，他回应成本正在逐步上升。

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